Número da peça:STGW25M120DF3
Tipo de IGBT:Parada de campo da trincheira
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):1200 V
Número da peça:RTS5441E-GR
Atual:Até 300 mA de corrente
Output integrado LDO:3.3V
Número da peça:EP4CE10E22I8LN
Estatuto do produto:Atividade
Número de laboratórios/CLBs:645
Número da peça:DAC8830ICDR
Número de bocados:16
Número de conversores de D/A:1
Número da peça:AD7699BCBZ
Estatuto do produto:Atividade
Número de bocados:16
Número da peça:TK10A80E
Tipo do FET:N-canal
Tecnologia:MOSFET (óxido de metal)
Número da peça:IPB120N10S4-05
Estatuto do produto:Atividade
Tipo do FET:N-canal
Número da peça:EP4CE15F23C8N
Memória encaixada:504 kbit
Número de elementos de lógica:15408 LE
Número da peça:STM32F429VGT6TR
Velocidade:180MHz
Memória Flash:MB até 2
Número da peça:ASP-175864-01
Número de posições:40
Montando o tipo:Montagem de superfície
Número da peça:ASP-161956-02
Tipo:Empilhando conectores da placa
Pacote:SMD
Número da peça:LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Taxa de dados:900 Mb/s
RAM distribuído:kbit 73