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Módulos trifásicos duplos médios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT do poder

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energia fotovoltaico do módulo 950V 70A da fase IGBT

Módulo duplo automotivo dos módulos FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT de IGBT

China Módulos automotivos de IGBT

módulo automotivo FS03MR12A6MA1LBBPSA1 do Mosfet dos módulos 1200V de 400A IGBT sic

Drene à tensão da fonte (Vdss):1200V (1.2kV)

Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C:400A

RDS (máximo) @ na identificação, Vgs:3.7mOhm @ 400A, 15V
módulo nivelado F3L400R10W3S7B11BPSA1 dos módulos 3 automotivos IGBT de 950V 400A IGBT

Número da parte:F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT:Trincheira

Estatuto do produto:Atividade
Parada de campo da trincheira do módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):950 V

Atual - coletor (CI) (máximo):310 A

Poder - máximo:20 mW
Módulos automotivos FS05MR12A6MA1BBPSA1 dos módulos de poder 1200V do carboneto de silicone de HEV 200A

Característica do FET:Carbono de silício (SiC)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):1200 V (1,2 kV)

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:200A
Módulos IGBT automotivos FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT meia ponte

Número da parte:FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):750 V

Corrente - colector (Ic) (máximo):200 A
Módulos IGBT FS03MR12A6MA1BBPSA1 Mosfet Array 6N Channel 3 Phase Bridge

Número da parte:FS03MR12A6MA1BBPSA1

Característica do FET:Carbono de silício (SiC)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):1200 V (1,2 kV)
1700V único IGBT automotivo ModulesTransistors IXYN50N170CV1 SOT-227-4

Número da peça:IXYN50N170CV1

Tensão máxima do emissor da porta:- 20 V, 20 V

Paládio - dissipação de poder:880 W
Transistor do módulo da montagem IXYN140N120A4 380A IGBT do chassi SOT-227-4 únicos

Número da peça:IXYN140N120A4

Atual - coletor (CI) (máximo):380 A

corrente do escapamento do Porta-emissor:nA 200
Transistor automotivo dos módulos 1200V 220A da montagem IGBT do chassi único

Número da peça:IXYN110N120C4

Atual - interrupção do coletor:50 µA

Capacidade entrada:5,42 N-F @ 25 V
MSCSM120DDUM31CTBL2NG Mosfet Array 1200V 79A 310W Transistores

Número da peça:MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Identificação - corrente contínua do dreno:79 A

Paládio - dissipação de poder:310 w
O parafuso monta transistor automotivos do Mosfet dos módulos 79A 310W de IGBT

Número da peça:MSCSM120DUM31CTBL1NG

Vf - tensão dianteira:1,5 V em 30 A

Vr - Tensão Reversa:1,2 quilovolts
Rectificadores de diodos MSCDR90A160BL1NG Diodo Array 1 Série de ligação de pares

Número da peça:MSCDR90A160BL1NG

Configuração do diodo:1 par de conexão em série

Tecnologia:Padrão

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