Chip de circuito integrado STGW25M120DF3 1200V IGBT Tranzistores de parada de campo de trincheira TO-247-3

Chip de circuito integrado STGW25M120DF3 1200V IGBT Tranzistores de parada de campo de trincheira TO-247-3

Descrição do produto STGW25M120DF3

O STGW25M120DF3 é um IGBT desenvolvido usando uma estrutura avançada proprietária de trench gate field-stop.que representam um equilíbrio óptimo entre o desempenho e a eficiência do sistema de inversores, sendo essencial a funcionalidade de baixa perda e de curto-circuito.

Especificação do STGW25M120DF3

Características do STGW25M120DF3

• Temperatura máxima de junção: TJ = 175 °C

• 10 μs de resistência ao curto-circuito

• VCE (sat) baixo = 1,85 V (típico) @ IC = 25 A

• Distribuição de parâmetros apertados

• Coeficiente de temperatura VCE (sat) positivo

• Baixa resistência térmica

• Diodo antiparallel de recuperação suave e rápida

Aplicações do STGW25M120DF3

• Dispositivos industriais

• UPS

• Energia solar

• Solução

Outros componentes eletrónicos em existência

Perguntas frequentes
Q. Os seus produtos são originais?
R: Sim, todos os produtos são originais, importação original nova é o nosso propósito.
P: Que certificados tem?
R: Somos uma empresa certificada ISO 9001:2015 e membro da ERAI.
P: Pode apoiar a encomenda de pequena quantidade ou a amostra?
R: Sim, apoiamos a encomenda de amostras e a pequena encomenda. O custo da amostra é diferente de acordo com a sua ordem ou projeto.
P: Como enviar a minha encomenda?
R: Usamos express para enviar, como DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Também podemos usar o seu transportador sugerido.Os produtos estarão em boas embalagens e garantir a segurança e somos responsáveis por danos ao produto para a sua ordem.
P: E quanto ao tempo de entrega?
R: Podemos enviar peças em estoque dentro de 5 dias úteis. Se não houver estoque, confirmaremos o tempo de entrega para você com base na quantidade do seu pedido.