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GaN IC

China GaN IC

Transistor de potência do modo de aprimoramento GaN IC IGLR60R340D1XUMA1 600V CoolGaN

Número da parte:IGLR60R340D1XUMA1

Tipo de FET:N-canal

Tecnologia:GaNFET (nitreto de gálio)
GaN IC IGLD60R190D1AUMA1 N-Channel CoolGaN Power Transistor 8-LDFN Mount de superfície

Número da parte:IGLD60R190D1AUMA1

Vgs(th) (Max) @ Id:1.6V @ 960μA

Vgs (máximo):-10V
GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 Transistor de potência de modo de aprimoramento de canal N 600V

Número da parte:IGLR60R190D1XUMA1

Tipo de montagem:Montagem de superfície

Temperatura de funcionamento:-40°C ~ 150°C (TJ)
GaN IC IGT60R070D1ATMA4 1 N Canal MOSFET CoolGaN Transistor de Potência

Quantidade de ordem mínima:10

Preço:Contact for Sample

Detalhes da embalagem:Pacote padrão
GaN IC IGOT60R070D1AUMA1 600V 31A 70mOhms CoolGaN MOSFET Transistor

Quantidade de ordem mínima:10

Preço:Contact for Sample

Detalhes da embalagem:Pacote padrão
GaN IC IGO60R070D1AUMA1 N Canal 600V CoolGaN MOSFET Transistor

Quantidade de ordem mínima:10

Preço:Contact for Sample

Detalhes da embalagem:Pacote padrão
GaN IC IGT60R190D1SATMA1 12.5A 600V CoolGaN MOSFET Transistor HSOF8

Quantidade de ordem mínima:10

Preço:Contact for Sample

Detalhes da embalagem:Pacote padrão
GaN IC NV6134A-RA N-Channel 10A Condutor do interruptor de alimentação 30-QFN

Quantidade de ordem mínima:10

Preço:Contact for Sample

Detalhes da embalagem:Pacote padrão
GaN IC NV6113-RA N-Channel 5A

Quantidade de ordem mínima:10

Preço:Contact for Sample

Detalhes da embalagem:Pacote padrão
Chip de protocolo de carregamento rápido SC2001QDER até 4 grupos de controle de sinal DPDM

Número da parte:SC2001QDER

Voltagem nominal:30 V

Tamanho:4 mm x 4 mm x 0,75 mm
45W IC Chip SC2151AQDER DPDM Carregamento Rápido Chip Controlador QFN16

Número da parte:SC2151AQDER

Pacote:QFN16

Tipo:Chip controlador de carregamento rápido
GaN IC LMG2610RRGR GaN Half Bridge para ACF com driver integrado

Quantidade de ordem mínima:10

Preço:Contact for Sample

Detalhes da embalagem:Pacote padrão

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