China Módulos automotivos de IGBT

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  Módulo em três níveis automotivo do inversor 20mW IGBT dos módulos F3L11MR12W2M1B74BOMA1 de IGBT

  Número da peça:F3L11MR12W2M1B74BOMA1

  Série:EasyPACK™

  VDSS:1200 V

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  Módulos discretos dos produtos de semicondutor IGBT de FS660R08A6P2FBBPSA1 750V 450A

  Número da peça:FS660R08A6P2FBBPSA1

  Tensão dianteira:2,50 V

  Paládio - dissipação de poder:W 1053

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  Módulo automotivo do MOSFET dos módulos F415MR12W2M1B76BOMA1 Fourpack 1200V CoolSiC de IGBT

  Número da peça:F415MR12W2M1B76BOMA1

  tensão da Dreno-fonte (Tvj = 25°C):1200V

  Tensão da Porta-fonte:-10 V/20 V

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  1200V módulos automotivos completos 20mW do módulo F423MR12W1M1B11BOMA1 IGBT da ponte IGBT

  Número da peça:F423MR12W1M1B11BOMA1

  Capacidade entrada (Cies) @ Vce:3,68 N-F @ 800 V

  Entrada:Padrão

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  montagem automotivo do chassi dos módulos FS75R12KT4B11BPSA1 de 1200V 75A 20mW IGBT

  Número da peça:FS75R12KT4B11BPSA1

  Dados do SC:870A

  RthJC:0,145 K/W

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  Módulo automotivo 1200V da ponte dos módulos F411MR12W2M1B76BOMA1 4N-Channel de IGBT meio

  Número da peça:F411MR12W2M1B76BOMA1

  Configuração:N-canal 4 (meia ponte)

  Série:EasyPACK™ CoolSiC™

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  Módulos automotivos 1200V 4N-Channel da disposição F423MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT do Mosfet

  Número da peça:F423MR12W1M1PB11BPSA1

  Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C:50A

  IDRM:100A

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  Do inversor completo IGBT da ponte da parada de campo da trincheira FS50R12N2T7B15BPSA2 módulos automotivos

  Número da peça:FS50R12N2T7B15BPSA2

  Capacidade entrada (Cies) @ Vce:N-F 11,1 @ 25 V

  Índice térmico relativo:140°C

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  Módulo automotivo do carboneto de silicone 4N-Channel dos módulos FF2MR12W3M1HB11BPSA1 de IGBT

  Número da peça:FF2MR12W3M1HB11BPSA1

  RDS (máximo) @ na identificação, Vgs:2.27mOhm @ 400A, 18V

  Pacote do dispositivo do fornecedor:AG-EASY3B

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  Módulo automotivo da parada de campo da trincheira do módulo dos módulos FP50R12KT4B11BPSA1 IGBT de IGBT

  Número da peça:FP50R12KT4B11BPSA1

  Nom de IC:225 A

  ICRM:450 A

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  Trincheira automotivo 2Independent dos módulos 20mW do módulo FF23MR12W1M1PB11BPSA1 IGBT de IGBT

  Número da peça:FF23MR12W1M1PB11BPSA1

  Tipo IGBT:Trincheira

  Configuração:2 independente

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  Módulos discretos automotivos do semicondutor IGBT dos módulos FP25R12KT4B11BPSA1 de IGBT

  Número da peça:FP25R12KT4B11BPSA1

  VCEO:1200 V

  Paládio - dissipação de poder:160 W

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