A Mingjiada Electronics fornece oIPB65R110CFDA, um MOSFET de potência de N-canal de 650V de Infineon, parte da série CoolMOSTM CFDA. Abaixo estão suas especificações detalhadas:
Descrição do produtoIPB65R110CFDA
O IPB65R110CFDA é um MOSFET de potência N de 650V/31.2A desenvolvido pela Infineon, embalado em um pacote PG-TO263-3 (D2PAK-3), e parte da série CoolMOSTM CFDA.É projetado especificamente para eletrónica automotivaO IPB65R110CFDA emprega a tecnologia Super Junction (SJ), oferecendo baixa resistência, comutação rápida,e estabilidade a altas temperaturas, tornando-o adequado para aplicações de alta fiabilidade, como carregadores de bordo (OBC) de veículos elétricos (EV), conversores DC-DC e inversores fotovoltaicos.
Características essenciais deIPB65R110CFDA
Capacidade de alta tensão e alta corrente: tensão de ruptura da fonte de drenagem de 650V (Vds) e corrente de drenagem contínua de 31,2A (Id), tornando o IPB65R110CFDA adequado para projetos de fontes de alimentação de comutação de alta potência.
Ultra-baixa resistência (Rds ((on)): 110mΩ (típica) @ 10V Vgs, o IPB65R110CFDA reduz as perdas de condução e melhora a eficiência do sistema.
Desempenho de comutação de alta velocidade: 11ns tempo de subida, 6ns tempo de queda, reduzindo as perdas de comutação, o IPB65R110CFDA suporta aplicações de comutação de alta frequência.
Diodo corporal rápido integrado: baixa carga de recuperação reversa (Qrr) reduz o ruído de comutação, melhorando o desempenho do EMI.
Funcionamento numa ampla gama de temperaturas: -40°C a +150°C, em conformidade com a certificação AEC-Q101 para automóveis.
Motor de porta otimizado: baixa carga de porta (Qg = 118nC), IPB65R110CFDA reduz as perdas de motor e aumenta a frequência de comutação.
Especificações pormenorizadas doIPB65R110CFDA
Modelo: IPB65R110CFDA
Marca: Infineon
Pacote: PG-TO263-3 (D2PAK-3)
Tecnologia: CoolMOSTM CFDA (MOSFET de Superjunção)
Voltagem da fonte de descarga (Vds): 650 V
Corrente de escoamento contínua (Id): 31,2 A
Resistência de ligação (Rds ((on)): 110 (típica) mΩ
Carga de porta (Qg): 118 nC
Voltagem da fonte de entrada (Vgs): ±20 V
Voltagem de limiar (Vgs ((th)): 3,5 V
Tempo de comutação (tr/tf): 11/6 ns
Intervalo de temperatura de funcionamento: -40 a + 150 °C
Dissipação de energia (Pd): 277,8 W
Principais aplicaçõesIPB65R110CFDA
Sistemas de propulsão de veículos elétricos
IPB65R110CFDA pode ser utilizado em inversores de plataforma de alta tensão de 800 V para melhorar a eficiência energética e reduzir os requisitos de gestão térmica.
Fornecedores de energia industrial e inversores fotovoltaicos
Adequado para fontes de alimentação de comutação de alta frequência e inversores solares para reduzir a perda de energia.
Fornecimentos de energia para servidores e centros de dados
A alta eficiência do IPB65R110CFDA otimiza os conversores DC-DC de 48 V, aumentando a densidade de potência.
Iluminação HID e carregadores de bateria
Utiliza características de comutação rápida para melhorar a eficiência dos controladores de LED e dispositivos de carregamento rápido.
Acionamento de motores e automação industrial
IPB65R110CFDA é adequado para servo drives e drives de frequência variável, melhorando a confiabilidade do sistema.
Resumo
Como um MOSFET de potência 650V/31.2A na série CoolMOSTM CFDA da Infineon, oferece baixas perdas de condução, comutação de alta velocidade e estabilidade em alta temperatura,tornando-a uma escolha ideal para aplicações como veículos elétricosO pacote PG-TO263-3 do IPB65R110CFDA facilita o projeto de PCB, enquanto a certificação AEC-Q101 garante a confiabilidade na eletrônica automotiva.
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