Blog da Empresa Sobre IXYS IXTP160N10T Transistores MOSFET de Potência de Modo de Reforço de Canal N

IXYSIXTP160N10TModo de reforço de canal N 100V 160A Transistores MOSFET de potência

Descrição do produtoIXTP160N10T
IXTP160N10Tsão transistores MOSFET de potência de 100 V 160 A de modo de reforço de canal N.

Especificação deIXTP160N10T
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):100 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:160A (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7mOhm @ 25A, 10V
Vgs ((th) (Max) @ Id:4.5V @ 250μA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:132 nC @ 10 V
Vgs (máximo): ± 30V
Capacidade de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:6600 pF @ 25 V
Dissipação de potência (máximo): 430 W (Tc)
Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)

Características deIXTP160N10T
Resistência extremamente baixa
Avalanche Classificado
Indutância de embalagem baixa
Fácil de conduzir e de proteger
Temperatura de funcionamento 175°C
Diodo intrínseco rápido

Vantagens deIXTP160N10T
Fácil de montar
Economia de espaço
Alta densidade de potência

Aplicações deIXTP160N10T
Automóveis
Motores de tração
Bus de energia de 42 V
Sistemas ABS
Conversores DC/DC e UPS off-line
Interruptor primário para sistemas de 24 V e 48 V
Arquiteturas de energia distribuída e VRMs
Sistemas eletrónicos de válvulas
Aplicações de comutação de alta corrente
Receptor síncrono de alta tensão