Transistor TO-247-3 do N-canal do MOSFET do poder da microplaqueta SCTW40N120G2VAG do circuito integrado

Transistor TO-247-3 do N-canal do MOSFET do poder da microplaqueta SCTW40N120G2VAG do circuito integrado

Descrição do produto de SCTW40N120G2VAG

SCTW40N120G2VAG é os transistor do N-canal do MOSFET do poder do carboneto de silicone da Automotivo-categoria, 1200 V, 33 A, mΩ 75 (tipo., TJ = °C) 25 em um pacote HiP247.

Especificação de SCTW40N120G2VAG

Características de SCTW40N120G2VAG

• Diodo intrínseco muito rápido e robusto do corpo
• Extremamente - baixas carga da porta e capacidade da entrada
• Capacidade de funcionamento muito alta da temperatura de junção (TJ = °C) 200

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FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.