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Microplaqueta TW060N120C do circuito integrado, carboneto de silicone dos transistor TO-247-3 do N-canal de S1F

Certificado
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
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Revisões do cliente
Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

—— Luis dos Estados Unidos

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—— Nishikawa do Japão

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Microplaqueta TW060N120C do circuito integrado, carboneto de silicone dos transistor TO-247-3 do N-canal de S1F

Microplaqueta TW060N120C do circuito integrado, carboneto de silicone dos transistor TO-247-3 do N-canal de S1F
Microplaqueta TW060N120C do circuito integrado, carboneto de silicone dos transistor TO-247-3 do N-canal de S1F

Imagem Grande :  Microplaqueta TW060N120C do circuito integrado, carboneto de silicone dos transistor TO-247-3 do N-canal de S1F

Detalhes do produto:
Lugar de origem: NC
Marca: Original Factory
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: TW060N120C, S1F
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: TO-247-3
Tempo de entrega: 5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T/T, L/C, Western Union

Microplaqueta TW060N120C do circuito integrado, carboneto de silicone dos transistor TO-247-3 do N-canal de S1F

Descrição
Número da peça: TW060N120C, S1F Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 1530 PF @ 800 V Dissipação de poder (máxima): 170W (Tc)
Montando o tipo: Através do furo Pacote/caso: TO-247-3

Microplaqueta TW060N120C do circuito integrado, carboneto de silicone dos transistor TO-247-3 do N-canal de S1F

 

Descrição do produto de TW060N120C, S1F

TW060N120C, S1F é N-canal MOS Transistors do carboneto de silicone, pacote é TO-247-3.

 

Especificação de TW060N120C, S1F

Número da peça TW060N120C, S1F
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silicone)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
1200 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
36A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
18V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
78mOhm @ 18A, 18V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
5V @ 4.2mA

 

Curvas de características de TW060N120C, S1F

Microplaqueta TW060N120C do circuito integrado, carboneto de silicone dos transistor TO-247-3 do N-canal de S1F 0

 

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Número da peça Pacote
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR WLCSP49
LCMXO3L-1300E-5UWG36CTR WLCSP36
SKY13364-389IF QFN
UJA1076ATW HTSSOP32
EP3SE80F1152C3N BGA1152
XC5VFX130T-2FF1738I FBGA

 

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.
   

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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