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1200V MOSFET do poder do carboneto de silicone do N-canal do MOSFET SCTWA50N120 através do furo HiP247

Certificado
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
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Revisões do cliente
Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

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1200V MOSFET do poder do carboneto de silicone do N-canal do MOSFET SCTWA50N120 através do furo HiP247

1200V MOSFET do poder do carboneto de silicone do N-canal do MOSFET SCTWA50N120 através do furo HiP247
1200V MOSFET do poder do carboneto de silicone do N-canal do MOSFET SCTWA50N120 através do furo HiP247

Imagem Grande :  1200V MOSFET do poder do carboneto de silicone do N-canal do MOSFET SCTWA50N120 através do furo HiP247

Detalhes do produto:
Lugar de origem: NC
Marca: Original Factory
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: SCTWA50N120
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: TO-247-3
Tempo de entrega: 5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T/T, L/C, Western Union

1200V MOSFET do poder do carboneto de silicone do N-canal do MOSFET SCTWA50N120 através do furo HiP247

Descrição
Número da peça: SCTWA50N120 RDS - na resistência da Dreno-fonte: 52 mOhms
Vgs - tensão da Porta-fonte: - 10 V, + 25 V Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte: 1,8 V
Qg - carga da porta: 122 nC Paládio - dissipação de poder: 318 W

1200V MOSFET do poder do carboneto de silicone do N-canal do MOSFET SCTWA50N120 através do furo HiP247

 

Descrição do produto de SCTWA50N120

MOSFET 1200 V do poder do carboneto de silicone SCTWA50N120, 65 A, mΩ 59 (tipo., °C) TJ=150 em um pacote longo das ligações de HiP247™.

 

Especificação de SCTWA50N120

Número da peça: SCTWA50N120 Tipo do FET: N-canal
Tecnologia: SiCFET (carboneto de silicone) Drene à tensão da fonte (Vdss): 1200 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: 65A (Tc) Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): 20V


Características de SCTWA50N120

  • Variação muito apertada da em-resistência vs.temperature
  • Capacidade de funcionamento muito alta da temperatura de junção (TJ = °C) 200
  • Diodo intrínseco muito rápido e robusto do corpo
  • Baixa capacidade

 

Aplicações de SCTWA50N120

  • Inversores solares, UPS
  • Movimentações do motor
  • Conversores de alta tensão de DC-DC
  • Fontes de alimentação do modo do interruptor

 

Outros tipos de produto da fonte

Número da peça Pacote
A4970GLBTR SOP24
88E1310 QFN48
A4980KLPTR HTSSOP-28
EFM32GG290F1024G 112-BGA
EN2340QI QFN68
EN5337QI QFN38

 

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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