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MOSFET 650V 100A 20mOhm do carboneto de silicone da Automotivo-categoria dos transistor SCTW100N65G2AG

Certificado
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
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Revisões do cliente
Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

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MOSFET 650V 100A 20mOhm do carboneto de silicone da Automotivo-categoria dos transistor SCTW100N65G2AG

MOSFET 650V 100A 20mOhm do carboneto de silicone da Automotivo-categoria dos transistor SCTW100N65G2AG
MOSFET 650V 100A 20mOhm do carboneto de silicone da Automotivo-categoria dos transistor SCTW100N65G2AG

Imagem Grande :  MOSFET 650V 100A 20mOhm do carboneto de silicone da Automotivo-categoria dos transistor SCTW100N65G2AG

Detalhes do produto:
Lugar de origem: NC
Marca: Original Factory
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: SCTW100N65G2AG
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: HiP247
Tempo de entrega: 5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T/T, L/C, Western Union

MOSFET 650V 100A 20mOhm do carboneto de silicone da Automotivo-categoria dos transistor SCTW100N65G2AG

Descrição
Número da peça: SCTW100N65G2AG Tipo do FET: N-canal
Tecnologia: SiCFET (carboneto de silicone) Dissipação de poder (máxima): 420W (Tc)
Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 200°C (TJ) Montando o tipo: Através do furo

MOSFET 650V 100A 20mOhm do carboneto de silicone da Automotivo-categoria dos transistor SCTW100N65G2AG

 

Descrição do produto de SCTW100N65G2AG

MOSFET 650 V do poder do carboneto de silicone da Automotivo-categoria de SCTW100N65G2AG, 100 A, mΩ 20 (tipo., TJ = °C) 25, em um pacote HiP247.

 

Especificação de SCTW100N65G2AG

Número da peça
SCTW100N65G2AG
Drene à tensão da fonte (Vdss)
650 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
18V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
26mOhm @ 50A, 18V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
5V @ 5mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
162 nC @ 18 V
Vgs (máximo)
+22V, -10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
3315 PF @ 520 V

 

Características de SCTW100N65G2AG

  • AEC-Q101 complacente
  • Temperatura muito alta do funcionamento (TJ = +200°C)
  • Diodo incorporado muito rápido e robusto do corpo
  • Baixa capacidade

 

Aplicações de SCTW100N65G2AG

  • Tração para inversores
  • Conversores de DC-DC

 

Diagrama de bloco funcional de SCTW100N65G2AG

MOSFET 650V 100A 20mOhm do carboneto de silicone da Automotivo-categoria dos transistor SCTW100N65G2AG 0

 

Outros tipos de produto da fonte

Número da peça Pacote
DS33Z44 BGA256
OPA209AIDBVR SOT23-5
TPS65235RUKR WQFN-20
FOD8314R2 SOIC-6
ADG619BRTZ SOT23-8
IDW30E65D1 TO-247

 

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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