Microplaqueta TW070J120B do circuito integrado, transistor TO-3P-3 dos MOSFETs do N-canal de S1Q

Microplaqueta TW070J120B do circuito integrado, transistor TO-3P-3 dos MOSFETs do N-canal de S1Q

Descrição do produto de TW070J120B, S1Q

TW070J120B, S1Q é N-canal MOS Transistors do carboneto de silicone, através do furo TO-3P (N).

Especificação de TW070J120B, S1Q

Características de TW070J120B, S1Q

• Modo do realce
• Projeto de microplaqueta da ?a geração (do acessório diodo de barreira de schottky sic)
• Tensão dianteira do baixo diodo: VDSF = -1,35 V (tipo.)
• Alta tensão: VDSS = 1200 V
• Baixa em-resistência da dreno-fonte: MΩ 70 do RDS (SOBRE) = (tipo.)
• Menos susceptível para funcionar mal devido à alta tensão do ponto inicial: Vth = 4,2 a 5,8 V (VDS = 10 V, mim D = 20 miliampères)

Outros componentes eletrônicos no estoque

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.