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Microplaqueta do circuito integrado dos transistor TO-247-3 dos transistor IXBX50N360HV única IGBTs

Certificado
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
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Revisões do cliente
Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

—— Luis dos Estados Unidos

Alta qualidade e desempenho confiável: "Os componentes eletrônicos que recebemos da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] são de alta qualidade e demonstraram desempenho confiável em nossos dispositivos".

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Preços competitivos: Os preços oferecidos pela Caterpillar são muito competitivos, tornando-a uma excelente escolha para as nossas necessidades de aquisição.

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—— Nishikawa do Japão

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Microplaqueta do circuito integrado dos transistor TO-247-3 dos transistor IXBX50N360HV única IGBTs

Microplaqueta do circuito integrado dos transistor TO-247-3 dos transistor IXBX50N360HV única IGBTs
Microplaqueta do circuito integrado dos transistor TO-247-3 dos transistor IXBX50N360HV única IGBTs

Imagem Grande :  Microplaqueta do circuito integrado dos transistor TO-247-3 dos transistor IXBX50N360HV única IGBTs

Detalhes do produto:
Lugar de origem: NC
Marca: Original Factory
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: IXBX50N360HV
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: TO-247-3
Tempo de entrega: 5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T/T, L/C, Western Union

Microplaqueta do circuito integrado dos transistor TO-247-3 dos transistor IXBX50N360HV única IGBTs

Descrição
Número da peça: IXBX50N360HV Tempo de recuperação reversa (trr): 1,7 µs
Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C (TJ) Tensão de saturação do Coletor-emissor: 2,9 V
Montando o estilo: Através do furo Paládio - dissipação de poder: 660 W

Microplaqueta do circuito integrado dos transistor TO-247-3 dos transistor IXBX50N360HV única IGBTs

 

Descrição do produto de IXBX50N360HV

IXBX50N360HV é BiMOSFET™ de alta tensão, de alta frequência MOS Transistor bipolar monolítico.

 

Especificação de IXBX50N360HV

Número da peça IXBX50N360HV
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima)
3600 V
Atual - coletor (CI) (máximo)
125 A
Atual - coletor pulsado (Icm)
420 A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI
2.9V @ 15V, 50A
Poder - máximo
660 W
Tipo entrado
Padrão
Carga da porta
210 nC
TD (de ligar/desligar) @ 25°C
46ns/205ns
Condição de teste
960V, 50A, 5Ohm, 15V


Aplicações de IXBX50N360HV

  • Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)
  • Fontes do Interruptor-modo e da alimentação do Ressonante-modo
  • Circuitos da descarga do capacitor
  • Geradores do laser

 

Outros componentes eletrônicos no estoque

Número da peça Pacote
REF5025AIDR SOP8
MMA6813KWR2 QFN16
ADIS16365BMLZ ML-24-2
USB4604I-1080HN QFN48
DA14580-01AT2 QFN40
NS1081S QFN48

 

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.
   

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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