Microplaqueta TO-263-8 do circuito integrado dos transistor IMBG65R039M1HXTMA1 do carboneto de silicone

Microplaqueta TO-263-8 do circuito integrado dos transistor IMBG65R039M1HXTMA1 do carboneto de silicone

Descrição do produto de IMBG65R039M1HXTMA1

IMBG65R039M1HXTMA1 é dispositivo de poder da trincheira do N-canal 650V CoolSiC M1 sic, construído sobre a tecnologia contínua do carboneto de silicone.

Especificação de IMBG65R039M1HXTMA1

Características de IMBG65R039M1HXTMA1

• Diodo rápido robusto do corpo da comutação
• Custo e complexidade reduzidos de sistema
• Confiança mais alta do vigor e de sistema

Aplicações de IMBG65R039M1HXTMA1

• Servidor
• Telecomunicações
• Fonte de alimentação de comutação (SMPS)

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FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.