Detalhes do produto:
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Número da peça: | IKW30N65ET7XKSA1 | VCE: | 650 V |
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Temperatura de armazenamento: | -55 - °C 150 | Temperatura de solda: | °C 260 |
Resistência térmica: | 40 K/W | tensão do Porta-emissor: | ±20 V |
Transistor eletrônicos da parada de campo da trincheira dos circuitos integrados IKW30N65ET7XKSA1 IGBT
Descrição do produto de IKW30N65ET7XKSA1
IKW30N65ET7XKSA1 é um eficiente procura um caminho mais curto IGBT discreto áspero que fornece pelo menos tensão de saturação de 10% uma mais baixa do que outro.
Especificação de IKW30N65ET7XKSA1
Número da peça |
IKW30N65ET7XKSA1 |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI |
1.65V @ 15V, 30A |
Poder - máximo |
188 W |
Energia de comutação |
590µJ (sobre), 500µJ (fora) |
Características de IKW30N65ET7XKSA1
IEM reduzido
Projeto robusto da umidade
Diodo antiparalelo da recuperação muito macia, rápida
Outros tipos de produto da fonte
Número da peça |
Pacote |
MSC035SMA070B4 |
TO-247-4 |
QH8MA4TCR |
DFN8 |
S25FL128SAGMFMR00 |
SOP16 |
S25FL064LABMFV011 |
SOP8 |
CY15B108QI-20LPXC |
QFN |
CY15B104QI-20LPXC |
DIP8 |
FAQ
Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.
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