TO-247-3 através dos transistor da parada de campo da trincheira do furo IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

TO-247-3 através dos transistor da parada de campo da trincheira do furo IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT

Descrição do produto de IKQ120N120CS7XKSA1

IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT caracteriza uma capacidade da tensão de obstrução do coletor-emissor de 1200 V.

Especificação de IKQ120N120CS7XKSA1

Características de IKQ120N120CS7XKSA1

• IGBT co-embalou com o diodo atual, macio e baixo completo de Qrr

• Baixa tensão de saturação VCEsat = 2,0 V em Tvj = em 175°C

Outros tipos de produto da fonte

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.