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Transistor do MOSFET da trincheira TO-263-8 do carboneto de silicone do N-canal IMBG120R220M1H 1200V

Certificado
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
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Revisões do cliente
Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

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Transistor do MOSFET da trincheira TO-263-8 do carboneto de silicone do N-canal IMBG120R220M1H 1200V

Transistor do MOSFET da trincheira TO-263-8 do carboneto de silicone do N-canal IMBG120R220M1H 1200V
N-Channel IMBG120R220M1H 1200V Silicon Carbide Trench TO-263-8 MOSFET Transistors
Transistor do MOSFET da trincheira TO-263-8 do carboneto de silicone do N-canal IMBG120R220M1H 1200V Transistor do MOSFET da trincheira TO-263-8 do carboneto de silicone do N-canal IMBG120R220M1H 1200V

Imagem Grande :  Transistor do MOSFET da trincheira TO-263-8 do carboneto de silicone do N-canal IMBG120R220M1H 1200V

Detalhes do produto:
Lugar de origem: CN
Marca: Original Factory
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: IMBG120R220M1H
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: TO-263-8
Tempo de entrega: 5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor do MOSFET da trincheira TO-263-8 do carboneto de silicone do N-canal IMBG120R220M1H 1200V

Descrição
Número da peça: IMBG120R220M1H Tempo de queda: 11 ns
Transcondutância dianteira - minuto: 1,9 S Configuração: Único
Tempo de elevação: 1,1 ns Tempo de atraso típico da volta-Fora: 16 ns

Transistor do MOSFET da trincheira TO-263-8 do carboneto de silicone do N-canal IMBG120R220M1H 1200V

 

Descrição do produto de IMBG120R220M1H

IMBG120R220M1H é transistor do MOSFET da trincheira do carboneto de silicone do N-canal 1200V CoolSiC™ com tecnologia da interconexão de .XT.

 

Especificação de IMBG120R220M1H

Número da peça: IMBG120R220M1H
Sic
SMD/SMT
PG-TO263-7
N-canal
1 canal
1,2 quilovolts
13 A
294 mOhms
- 7 V, + 23 V
5,7 V
9,4 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W

 

Características de IMBG120R220M1H

  • Baixas perdas de comutação mesmas
  • Procurar um caminho mais curto suportam µs do tempo 3
  • Tensão do ponto inicial da porta da avaliação de desempenho, VGS (th) = 4.5V
  • Tecnologia da interconexão de .XT para o desempenho térmico da melhor-em-classe
  • Dispersão do pacote e distância do afastamento > 6.1mm

 

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Número da peça Pacote
XA6SLX45T-2CSG324Q 324-LFBGA
XA6SLX45T-2FGG484I FBGA484
XA6SLX45T-3FGG484I FBGA484
XA6SLX45T-2FGG484Q FBGA484
XA6SLX45T-3CSG324Q 324-LFBGA
XA6SLX16-2CSG324I 324-CSPBGA


FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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