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Transistor TO-247-4 do N-canal do carboneto de silicone da microplaqueta IMZ120R030M1H do circuito integrado

Certificado
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
Revisões do cliente
Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

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Alta qualidade e desempenho confiável: "Os componentes eletrônicos que recebemos da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] são de alta qualidade e demonstraram desempenho confiável em nossos dispositivos".

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—— Nishikawa do Japão

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Transistor TO-247-4 do N-canal do carboneto de silicone da microplaqueta IMZ120R030M1H do circuito integrado

Transistor TO-247-4 do N-canal do carboneto de silicone da microplaqueta IMZ120R030M1H do circuito integrado
Transistor TO-247-4 do N-canal do carboneto de silicone da microplaqueta IMZ120R030M1H do circuito integrado

Imagem Grande :  Transistor TO-247-4 do N-canal do carboneto de silicone da microplaqueta IMZ120R030M1H do circuito integrado

Detalhes do produto:
Lugar de origem: CN
Marca: Original Factory
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: IMZ120R030M1H
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: TO-247-4
Tempo de entrega: 5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor TO-247-4 do N-canal do carboneto de silicone da microplaqueta IMZ120R030M1H do circuito integrado

Descrição
Número da peça: IMZ120R030M1H Série: CoolSiC™
Tipo do FET: N-canal Vgs (máximo): +23V, -7V
Montando o tipo: Através do furo Pacote do dispositivo do fornecedor: PG-TO247-4-1

Transistor TO-247-4 do N-canal do carboneto de silicone da microplaqueta IMZ120R030M1H do circuito integrado

 

Descrição do produto de IMZ120R030M1H

IMZ120R030M1H é transistor dos MOSFETs dos FETs do N-canal 1200V únicos, pacote é TO-247-4, através do furo.

 

Especificação de IMZ120R030M1H

Número da peça IMZ120R030M1H
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silicone)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
40mOhm @ 25A, 18V
Vgs (máximo)
+23V, -7V
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)

 

Características de IMZ120R030M1H

  • tensão da Dreno-fonte, ≥ 25°C de Tvj: 1200V
  • O dreno pulsado 150A atual, tp limitou por Tvjmax, VGS = 18V
  • 3µs procuram um caminho mais curto suportam o tempo, VDD = 800V, VDS, pico < 1200V="">

 

Outros componentes eletrônicos no estoque

Número da peça Pacote
XA6SLX75-3FGG484Q FCBGA-484
XA6SLX75-2FGG484Q FCBGA-484
XA6SLX75-3CSG484Q 484-CSPBGA
XA6SLX75-2CSG484Q 484-CSPBGA
XA6SLX100-2FGG484I 484-BBGA
XA6SLX100-2FGG484Q FCBGA-484


FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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