Transistor TO-247-3 dos MOSFETs do N-canal 1200V do carboneto de silicone IMW120R090M1H

Carbide de Silício IMW120R090M1H N-Channel 1200V MOSFETs Transistores TO-247-3

Descrição do produtoIMW120R090M1H

IMW120R090M1H é CoolSiCTM 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET, perdas de comutação muito baixas.

Especificação deIMW120R090M1H

Características deIMW120R090M1H

• Sem limiar para a característica de estado
• Largo intervalo de tensão da porta de saída
• Voltagem de limite da porta de referência, VGS ((th) = 4,5V
• 0 V de tensão de desligamento da porta para acionamento fácil e simples da porta
• DV/dt totalmente controlada
• Diodo de corpo robusto para comutação dura

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Perguntas frequentes

P: Os seus produtos são originais?
R: Sim, todos os produtos são originais, importação original nova é o nosso propósito.
P: Que certificados tem?
R: Somos uma empresa certificada ISO 9001:2015 e membro da ERAI.
P: Pode apoiar a encomenda de pequena quantidade ou a amostra?
R: Sim, apoiamos a encomenda de amostras e a pequena encomenda. O custo da amostra é diferente de acordo com a sua ordem ou projeto.
P: Como enviar a minha encomenda?
R: Usamos express para enviar, como DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Também podemos usar o seu transportador sugerido.Os produtos estarão em boas embalagens e garantir a segurança e somos responsáveis por danos ao produto para a sua ordem.
P: E quanto ao tempo de entrega?
R: Podemos enviar peças em estoque dentro de 5 dias úteis. Se não houver estoque, confirmaremos o tempo de entrega para você com base na quantidade do seu pedido.