De IMBG65R039M1H do N-canal 650V dos MOSFETs dos transistor dispositivo de poder da trincheira sic

De IMBG65R039M1H do N-canal 650V dos MOSFETs dos transistor dispositivo de poder da trincheira sic

Descrição do produto de IMBG65R039M1H

Os transistor de poder do realce-modo de IMBG65R039M1H GaN estão disponíveis em um pacote da superfície-montagem de ThinPAK 5x6, ideal para as aplicações que exigem um dispositivo compacto sem um dissipador de calor.

Especificação de IMBG65R039M1H

Características de IMBG65R039M1H

• Mais baixa dependência atual de Rs (sobre) e de pulso na temperatura

• Capacidade aumentada da avalancha

Outros tipos de produto da fonte

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.