sic transistor TO-263-8 do MOSFET do N-canal do MOSFET IMBG120R045M1H da trincheira 1200V

sic transistor TO-263-8 do MOSFET do N-canal do MOSFET IMBG120R045M1H da trincheira 1200V

Descrição do produto de IMBG120R045M1H

IMBG120R045M1H é MOSFET da trincheira de CoolSiC™ 1200V sic com tecnologia da interconexão de .XT.

Especificação de IMBG120R045M1H

Características de IMBG120R045M1H

• Procurar um caminho mais curto suportam µs do tempo 3
• DV/dt inteiramente verificável
• Tensão do ponto inicial da porta da avaliação de desempenho, VGS (th) = 4.5V
• Robusto contra parasítico gire sobre, tensão da porta da volta-fora 0V pode ser aplicado
• Diodo robusto do corpo para a comutação dura

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FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.