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Transistor de junção TO-247-4 do carboneto de silicone do MOSFET IMYH200R012M1H 2000V do N-canal

Certificado
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
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Revisões do cliente
Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

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Transistor de junção TO-247-4 do carboneto de silicone do MOSFET IMYH200R012M1H 2000V do N-canal

Transistor de junção TO-247-4 do carboneto de silicone do MOSFET IMYH200R012M1H 2000V do N-canal
Transistor de junção TO-247-4 do carboneto de silicone do MOSFET IMYH200R012M1H 2000V do N-canal

Imagem Grande :  Transistor de junção TO-247-4 do carboneto de silicone do MOSFET IMYH200R012M1H 2000V do N-canal

Detalhes do produto:
Lugar de origem: CN
Marca: Original Factory
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: IMYH200R012M1H
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: TO-247-4
Tempo de entrega: 5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor de junção TO-247-4 do carboneto de silicone do MOSFET IMYH200R012M1H 2000V do N-canal

Descrição
Número da peça: IMYH200R012M1H Série: CoolSiC™
Vgs (máximo): +20V, -7V Dissipação de poder (máxima): 552W (Tc)
Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ) Montando o tipo: Através do furo

Transistor de junção TO-247-4 do carboneto de silicone do MOSFET IMYH200R012M1H 2000V do N-canal

 

Descrição do produto de IMYH200R012M1H

IMYH200R012M1H é transistor de junção do carboneto de silicone dos MOSFETs do N-canal, através do furo, pacote é TO-247-4.

 

Especificação de IMYH200R012M1H

Número da peça IMYH200R012M1H
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
Sic (transistor de junção do carboneto de silicone)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
2000 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
123A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
16.5mOhm @ 60A, 18V

 

Características de IMYH200R012M1H

  • RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: 16.5mOhm @ 60A, 18V
  • Identificação de Vgs (th) (máximo) @: 5.5V @ 48mA
  • Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 246 nC @ 18 V

 

Outros componentes eletrônicos no estoque

Número da peça Pacote
BQ24250CYFFR DSBGA30
MA4ST401CK-287 SOT-23
TPS51220ARSNR QFN32
CM3202-00DE QFN
5AGZME1E3H29C4N BGA
PSS30S92E6-AG Módulo


FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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