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Montagem automotivo do chassi dos transistor do módulo de poder dos módulos MSCSM70HM19CT3AG de IGBT

Name: Montagem automotivo do chassi dos transistor do módulo de poder dos módulos MSCSM70HM19CT3AG de IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM70HM19CT3AG
Availability: InStock

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Certificado

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações

Revisões do cliente

Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

—— Luis dos Estados Unidos

Alta qualidade e desempenho confiável: "Os componentes eletrônicos que recebemos da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] são de alta qualidade e demonstraram desempenho confiável em nossos dispositivos".

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Preços competitivos: Os preços oferecidos pela Caterpillar são muito competitivos, tornando-a uma excelente escolha para as nossas necessidades de aquisição.

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Grandes preços, entrega rápida e serviço ao cliente de primeira linha.

—— Nishikawa do Japão

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—— Sam dos Estados Unidos

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Montagem automotivo do chassi dos transistor do módulo de poder dos módulos MSCSM70HM19CT3AG de IGBT

Imagem Grande : Montagem automotivo do chassi dos transistor do módulo de poder dos módulos MSCSM70HM19CT3AG de IGBT

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	NC
Marca:	Original Factory
Certificação:	Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo:	MSCSM70HM19CT3AG

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	10
Preço:	Contact for Sample
Detalhes da embalagem:	Módulo
Tempo de entrega:	5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contato

Montagem automotivo do chassi dos transistor do módulo de poder dos módulos MSCSM70HM19CT3AG de IGBT

Descrição

Número da peça:	MSCSM70HM19CT3AG	Poder - máximo:	365W (Tc)
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	4500pF @ 700V	Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:	215nC @ 20V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @:	2.4V @ 4mA	RDS (máximo) @ na identificação, Vgs:	19mOhm @ 40A, 20V

Montagem automotivo do chassi dos transistor do módulo de poder dos módulos MSCSM70HM19CT3AG de IGBT

Descrição do produto de MSCSM70HM19CT3AG

Os módulos de poder do MOSFET de MSCSM70HM19CT3AG são construídos com sic os MOSFETs e sic os diodos, e consequentemente para combinar as vantagens de ambos os dispositivos. Os módulos de poder de MSCSM70HM19CT3AG caracterizam extremamente - um baixo pacote da indutância SP3F, com uma indutância dispersa máxima de 3nH.

Especificação de MSCSM70HM19CT3AG

Número da peça:	MSCSM70HM19CT3AG	Tensão reversa:	1,2 QUILOVOLTS
Tensão da Porta-fonte:	- 10 V, + 25 V	Tensão dianteira:	1,5 V em 15 A
Vds:	1,2 QUILOVOLTS	Vgs:	1,8 V

Aplicações de MSCSM70HM19CT3AG

Aquecimento de indução
Fontes de alimentação médicas
(Picovolt) conversores fotovoltaicos de /solar/wind
Fonte de alimentação ininterrupto

Outros tipos de produto da fonte

Número da peça	Pacote
SCH5627	QFP-128
MPQ4560DN	SOP8
MBR230LSFT1G	SOD-123
OPA345NA	SOT23-5
R5S726B0D216FP	QFP144
BH5510KV	TQFP48

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

etiqueta:

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: 400A

RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificação de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo nivelado F3L400R10W3S7B11BPSA1 dos módulos 3 automotivos IGBT de 950V 400A IGBT

Número da parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Trincheira

Estatuto do produto: Atividade

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 950 V

Parada de campo da trincheira do módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 950 V

Atual - coletor (CI) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: 2.25V @ 15V, 400A

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Característica do FET: Carbono de silício (SiC)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 200A

Tipo de montagem: Montura do chassi

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Número da parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 750 V

Corrente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potência - Máximo: 20 mW

Montagem automotivo do chassi dos transistor do módulo de poder dos módulos MSCSM70HM19CT3AG de IGBT

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