Casa Produtos Módulos automotivos de IGBT

Módulo de poder automotivo 700V do MOSFET dos módulos MSCSM70DUM017AG 2N-Channel de IGBT sic

Name: Módulo de poder automotivo 700V do MOSFET dos módulos MSCSM70DUM017AG 2N-Channel de IGBT sic
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM70DUM017AG
Availability: InStock

Todos os Produtos

Microplaqueta do circuito integrado
(18396)

BT IC
(524)

Módulos automotivos de IGBT
(1937)

Microcontrolador MCU
(12421)

GaN IC
(51)

Chip de processador de IA
(1169)

Disposição de porta programável do campo
(6582)

Ethernet CI
(938)

Conectores
(2853)

Memória IC Chip
(2435)

Sensor IC
(2168)

chip IoT
(232)

módulo 5G
(132)

Microplaqueta de WiFi 6
(138)

Microplaqueta de Iphone IC
(55)

Módulo de comunicação sem fio
(3297)

Controlador de temperatura Thermostat
(8)

Os melhores produtos

Módulos trifásicos duplos médios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT do poder

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energia fotovoltaico do módulo 950V 70A da fase IGBT

Módulo duplo automotivo dos módulos FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT de IGBT

Certificado

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações

Revisões do cliente

Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

—— Luis dos Estados Unidos

Alta qualidade e desempenho confiável: "Os componentes eletrônicos que recebemos da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] são de alta qualidade e demonstraram desempenho confiável em nossos dispositivos".

—— Richardg da Alemanha

Preços competitivos: Os preços oferecidos pela Caterpillar são muito competitivos, tornando-a uma excelente escolha para as nossas necessidades de aquisição.

—— Tim da Malásia

O serviço ao cliente é excelente, sempre atento e prestativo, garantindo que as nossas necessidades sejam atendidas rapidamente.

—— Vincent da Rússia

Grandes preços, entrega rápida e serviço ao cliente de primeira linha.

—— Nishikawa do Japão

Componentes confiáveis, transporte rápido e excelente suporte.

—— Sam dos Estados Unidos

Peças de alta qualidade e um processo de encomenda perfeito, recomendo fortemente a ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para qualquer projeto eletrônico!

—— Lina da Alemanha

Estou Chat Online Agora

Módulo de poder automotivo 700V do MOSFET dos módulos MSCSM70DUM017AG 2N-Channel de IGBT sic

Imagem Grande : Módulo de poder automotivo 700V do MOSFET dos módulos MSCSM70DUM017AG 2N-Channel de IGBT sic

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	NC
Marca:	Original Factory
Certificação:	Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo:	MSCSM70DUM017AG

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	10
Preço:	Contact for Sample
Detalhes da embalagem:	Módulo
Tempo de entrega:	5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contato

Módulo de poder automotivo 700V do MOSFET dos módulos MSCSM70DUM017AG 2N-Channel de IGBT sic

Descrição

Número da peça:	MSCSM70DUM017AG	Configuração:	Fonte comum (dupla) de 2 N-canais
Drene à tensão da fonte (Vdss):	700V	Tecnologia:	Carboneto de silicone (sic)
Identificação de Vgs (th) (máximo) @:	2.4V @ 36mA	RDS (máximo) @ na identificação, Vgs:	2.1mOhm @ 360A, 20V

Módulo de poder automotivo 700V do MOSFET dos módulos MSCSM70DUM017AG 2N-Channel de IGBT sic

Descrição do produto de MSCSM70DUM017AG

MSCSM70DUM017AG é um módulo de poder (duplo) do MOSFET do carboneto de silicone da fonte comum do N-canal 700V/1021A 2 (sic).

Especificação de MSCSM70DUM017AG

Número da peça	MSCSM70DUM017AG
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	40500pF @ 700V
Poder - máximo	2750W (Tc)
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem do chassi
Pacote/caso	Módulo

Diagrama esquemático elétrico de MSCSM70DUM017AG

Módulo de poder automotivo 700V do MOSFET dos módulos MSCSM70DUM017AG 2N-Channel de IGBT sic 0

Outros tipos de produto da fonte

Número da peça	Pacote
STM32F429IIT6	LQFP176
STM32F051C8T6	LQFP48
STM8S005K6T6CTR	LQFP-32
EKMC1603111	DIP-3
AN87C196CB20	PLCC84
IPW60R125CP	TO-247

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

etiqueta:

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Outros Produtos

módulo automotivo FS03MR12A6MA1LBBPSA1 do Mosfet dos módulos 1200V de 400A IGBT sic

Drene à tensão da fonte (Vdss): 1200V (1.2kV)

Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: 400A

RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificação de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo nivelado F3L400R10W3S7B11BPSA1 dos módulos 3 automotivos IGBT de 950V 400A IGBT

Número da parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Trincheira

Estatuto do produto: Atividade

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 950 V

Parada de campo da trincheira do módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 950 V

Atual - coletor (CI) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotivos FS05MR12A6MA1BBPSA1 dos módulos de poder 1200V do carboneto de silicone de HEV 200A

Característica do FET: Carbono de silício (SiC)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 200A

Tipo de montagem: Montura do chassi

Módulos IGBT automotivos FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT meia ponte

Número da parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 750 V

Corrente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potência - Máximo: 20 mW

Módulo de poder automotivo 700V do MOSFET dos módulos MSCSM70DUM017AG 2N-Channel de IGBT sic

Microplaqueta do circuito integrado

BT IC

Módulos automotivos de IGBT

Microcontrolador MCU

GaN IC

Chip de processador de IA

Disposição de porta programável do campo

Ethernet CI

Conectores

Memória IC Chip

Sensor IC

chip IoT

módulo 5G

Microplaqueta de WiFi 6

Microplaqueta de Iphone IC

Módulo de comunicação sem fio

Controlador de temperatura Thermostat

Módulos trifásicos duplos médios de Econo FF900R12ME7WB11BPSA1 PIM IGBT do poder

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energia fotovoltaico do módulo 950V 70A da fase IGBT

Módulo duplo automotivo dos módulos FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A IGBT de IGBT

Módulo de poder automotivo 700V do MOSFET dos módulos MSCSM70DUM017AG 2N-Channel de IGBT sic

Módulo de poder automotivo 700V do MOSFET dos módulos MSCSM70DUM017AG 2N-Channel de IGBT sic

Módulos automotivos 400A de IGBT,

Módulo de poder de FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Módulo 1200V do pó de IGBT

módulo automotivo FS03MR12A6MA1LBBPSA1 do Mosfet dos módulos 1200V de 400A IGBT sic

módulo nivelado F3L400R10W3S7B11BPSA1 dos módulos 3 automotivos IGBT de 950V 400A IGBT

Parada de campo da trincheira do módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Módulos automotivos FS05MR12A6MA1BBPSA1 dos módulos de poder 1200V do carboneto de silicone de HEV 200A

Módulos IGBT automotivos FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT meia ponte

Microplaqueta do circuito integrado

VN7008AJTR circuito integrado chip driver lado alto 96A High Side Switches PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Chip de circuito integrado iCMOSTM Switch 4.7 Ohm Industrial CMOS Switches analógicos

LT6700CS6-1 Chipe de circuito integrado de baixa tensão de baixa tensão com referência de 400 mV

Ethernet CI

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Switch PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY Transceptores