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Transistor discretos do semicondutor da disposição 1.7kV 124A do Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

Name: Transistor discretos do semicondutor da disposição 1.7kV 124A do Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM170AM23CT1AG
Availability: InStock

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Certificado

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações

Revisões do cliente

Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

—— Luis dos Estados Unidos

Alta qualidade e desempenho confiável: "Os componentes eletrônicos que recebemos da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] são de alta qualidade e demonstraram desempenho confiável em nossos dispositivos".

—— Richardg da Alemanha

Preços competitivos: Os preços oferecidos pela Caterpillar são muito competitivos, tornando-a uma excelente escolha para as nossas necessidades de aquisição.

—— Tim da Malásia

O serviço ao cliente é excelente, sempre atento e prestativo, garantindo que as nossas necessidades sejam atendidas rapidamente.

—— Vincent da Rússia

Grandes preços, entrega rápida e serviço ao cliente de primeira linha.

—— Nishikawa do Japão

Componentes confiáveis, transporte rápido e excelente suporte.

—— Sam dos Estados Unidos

Peças de alta qualidade e um processo de encomenda perfeito, recomendo fortemente a ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para qualquer projeto eletrônico!

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Transistor discretos do semicondutor da disposição 1.7kV 124A do Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

Imagem Grande : Transistor discretos do semicondutor da disposição 1.7kV 124A do Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	NC
Marca:	Original Factory
Certificação:	Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo:	MSCSM170AM23CT1AG

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	10
Preço:	Contact for Sample
Detalhes da embalagem:	Módulo
Tempo de entrega:	5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Bater Papo

Transistor discretos do semicondutor da disposição 1.7kV 124A do Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

Descrição

Número da peça:	MSCSM170AM23CT1AG	Configuração:	Canal de 2 N (pé da fase)
VGS:	20 V	corrente do escapamento da Porta-fonte:	200nA
Energia de ligação:	2.2mJ	Resistência térmica do Junção-à-caso:	0.25°C/W

Transistor discretos do semicondutor da disposição 1.7kV 124A do Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

Descrição do produto de MSCSM170AM23CT1AG

MSCSM170AM23CT1AG caracteriza a alta tensão da obstrução, a indutância dispersa muito baixa, o ultra-baixo peso, e a baixa junção para encaixotar a resistência térmica.

Especificação de MSCSM170AM23CT1AG

Número da peça:	MSCSM170AM23CT1AG	Dreno-fonte na resistência:	15 MΩ
Dissipação de poder:	862W	Capacidade de saída:	450pF
Tempo de queda:	19ns	Resistência interna da porta:	1.95Ω

Características de MSCSM170AM23CT1AG

Alta tensão da obstrução
Indutância dispersa muito baixa

Outros tipos de produto da fonte

Número da peça	Pacote
RF5626	QFN
SFH421Z	SMD
LCMXO2-640HC-4TG100I	TQFP100
ADV7182WBCPZ	LFCSP32
IPA60R380P6	TO-220F
BFQ149	SOT89

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

etiqueta:

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: 400A

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Identificação de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo nivelado F3L400R10W3S7B11BPSA1 dos módulos 3 automotivos IGBT de 950V 400A IGBT

Número da parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Trincheira

Estatuto do produto: Atividade

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 950 V

Parada de campo da trincheira do módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 950 V

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Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: 2.25V @ 15V, 400A

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Número da parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 750 V

Corrente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potência - Máximo: 20 mW

Transistor discretos do semicondutor da disposição 1.7kV 124A do Mosfet de MSCSM170AM23CT1AG

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