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Módulo de poder automotivo 4000Vrms do MOSFET dos módulos MSCSM120DAM11CT3AG de IGBT sic

Name: Módulo de poder automotivo 4000Vrms do MOSFET dos módulos MSCSM120DAM11CT3AG de IGBT sic
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSCSM120DAM11CT3AG
Availability: InStock

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Certificado

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações

Revisões do cliente

Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

—— Luis dos Estados Unidos

Alta qualidade e desempenho confiável: "Os componentes eletrônicos que recebemos da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] são de alta qualidade e demonstraram desempenho confiável em nossos dispositivos".

—— Richardg da Alemanha

Preços competitivos: Os preços oferecidos pela Caterpillar são muito competitivos, tornando-a uma excelente escolha para as nossas necessidades de aquisição.

—— Tim da Malásia

O serviço ao cliente é excelente, sempre atento e prestativo, garantindo que as nossas necessidades sejam atendidas rapidamente.

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Grandes preços, entrega rápida e serviço ao cliente de primeira linha.

—— Nishikawa do Japão

Componentes confiáveis, transporte rápido e excelente suporte.

—— Sam dos Estados Unidos

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Módulo de poder automotivo 4000Vrms do MOSFET dos módulos MSCSM120DAM11CT3AG de IGBT sic

Imagem Grande : Módulo de poder automotivo 4000Vrms do MOSFET dos módulos MSCSM120DAM11CT3AG de IGBT sic

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	NC
Marca:	Original Factory
Certificação:	Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo:	MSCSM120DAM11CT3AG

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	10
Preço:	Contact for Sample
Detalhes da embalagem:	Módulo
Tempo de entrega:	5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contato

Módulo de poder automotivo 4000Vrms do MOSFET dos módulos MSCSM120DAM11CT3AG de IGBT sic

Descrição

Número da peça:	MSCSM120DAM11CT3AG	Vf - tensão dianteira:	1,5 V em 180 A
Tempo de queda:	25 ns	Paládio - dissipação de poder:	W 1067
RDS - na resistência da Dreno-fonte:	mOhms 10,4	Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:	1,2 kV

Módulo de poder automotivo 4000Vrms do MOSFET dos módulos MSCSM120DAM11CT3AG de IGBT sic

Descrição do produto de MSCSM120DAM11CT3AG

MSCSM120DAM11CT3AG é um módulo de poder completo do carboneto de silicone do interruptor inversor 1200 V/254 A do impulso (sic).

Especificação de MSCSM120DAM11CT3AG

Número da peça	MSCSM120DAM11CT3AG
Tipo	MOSFET
Configuração	1 fase
Atual	254 A
Tensão	1,2 quilovolts
Tensão - isolamento	4000Vrms
Montando o tipo	Montagem do chassi
Pacote/caso	Módulo

Características de MSCSM120DAM11CT3AG

Interruptor de alta velocidade
Baixo RDS (sobre)
Ultra de pequenas perdas
Baixa indutância dispersa
Fonte de Kelvin para a movimentação fácil
Termistor interno para a monitoração de temperatura

Outros tipos de produto da fonte

Número da peça	Pacote
MAX4392ESA	SOP-8
SSM2211SZ	SOP-8
BQ24305DSGR	WSON8
TPS51275BRUKR	WQFN20
MAX6129BEUK33	SOT23-5
BMC150	LGA14

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

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Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene à tensão da fonte (Vdss): 1200V (1.2kV)

Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: 400A

RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificação de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo nivelado F3L400R10W3S7B11BPSA1 dos módulos 3 automotivos IGBT de 950V 400A IGBT

Número da parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Trincheira

Estatuto do produto: Atividade

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 950 V

Parada de campo da trincheira do módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 950 V

Atual - coletor (CI) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotivos FS05MR12A6MA1BBPSA1 dos módulos de poder 1200V do carboneto de silicone de HEV 200A

Característica do FET: Carbono de silício (SiC)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 200A

Tipo de montagem: Montura do chassi

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Número da parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 750 V

Corrente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potência - Máximo: 20 mW

Módulo de poder automotivo 4000Vrms do MOSFET dos módulos MSCSM120DAM11CT3AG de IGBT sic

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