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Módulos IGBT automotivos MSCSM120AM042CD3AG Módulos semicondutores discretos

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FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 energia fotovoltaico do módulo 950V 70A da fase IGBT

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Certificado

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações

Revisões do cliente

Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

—— Luis dos Estados Unidos

Alta qualidade e desempenho confiável: "Os componentes eletrônicos que recebemos da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] são de alta qualidade e demonstraram desempenho confiável em nossos dispositivos".

—— Richardg da Alemanha

Preços competitivos: Os preços oferecidos pela Caterpillar são muito competitivos, tornando-a uma excelente escolha para as nossas necessidades de aquisição.

—— Tim da Malásia

O serviço ao cliente é excelente, sempre atento e prestativo, garantindo que as nossas necessidades sejam atendidas rapidamente.

—— Vincent da Rússia

Grandes preços, entrega rápida e serviço ao cliente de primeira linha.

—— Nishikawa do Japão

Componentes confiáveis, transporte rápido e excelente suporte.

—— Sam dos Estados Unidos

Peças de alta qualidade e um processo de encomenda perfeito, recomendo fortemente a ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd para qualquer projeto eletrônico!

—— Lina da Alemanha

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Módulos IGBT automotivos MSCSM120AM042CD3AG Módulos semicondutores discretos

Módulos IGBT automotivos MSCSM120AM042CD3AG Módulos semicondutores discretos

Módulos IGBT automotivos MSCSM120AM042CD3AG Módulos semicondutores discretos

Imagem Grande : Módulos IGBT automotivos MSCSM120AM042CD3AG Módulos semicondutores discretos

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	NC
Marca:	Original Factory
Certificação:	Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo:	MSCSM120AM042CD3AG

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	10
Preço:	Contact for Sample
Detalhes da embalagem:	Módulo
Tempo de entrega:	5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contato

Módulos IGBT automotivos MSCSM120AM042CD3AG Módulos semicondutores discretos

Descrição

Número da peça:	MSCSM120AM042CD3AG	Temperatura de funcionamento mínima:	- 40 C
Tecnologia:	SIC	Temperatura de funcionamento máximo:	+ 125 C
Tipo de produto:	Módulos discretos do semicondutor	Polaridade do transistor:	N-canal

Módulos IGBT automotivos MSCSM120AM042CD3AG Módulos semicondutores discretos

Descrição do produto deMSCSM120AM042CD3AG

O MSCSM120AM042CD3AG opera com tensão direta de 1,3 V (VF) a 90 A, tensão reversa de 1,6 kV (VR) e tensão reversa repetitiva máxima de 1600 V (VRRM).

Especificação deMSCSM120AM042CD3AG

Número da peça	MSCSM120AM042CD3AG
Estilo de montagem:	Montagens de parafuso
Embalagem/Caixa:	Módulo
Temperatura operacional mínima:	- 40 C
Temperatura operacional máxima:	+ 125 C

CaracterísticasDeMSCSM120AM042CD3AG

MOSFET de potência SiC
Baixo RDS (ligado)
Desempenho de alta temperatura

Outros tipos de produtos de abastecimento

Número da peça	Pacote
MAX19999ETX	TQFN36
XC3S500E-4PQG208I	QFP208
TPS71202DRCR	QFN-10
MX29GL512FLT2I-11G	TSOP56
M5LV-256/120-10YI	QFP
ICX205AL	DIP20

Perguntas frequentes

P: Seus produtos são originais?
R: Sim, todos os produtos são originais, a nova importação original é o nosso propósito.
P: quais certificados você tem?
R: Somos uma empresa certificada ISO 9001:2015 e membros da ERAI.
P: você pode oferecer suporte a pedidos ou amostras em pequenas quantidades? A amostra é grátis?
R: sim, aceitamos pedidos de amostra e pedidos pequenos. o custo da amostra é diferente de acordo com seu pedido ou projeto.
P: como enviar meu pedido?É seguro?
A: Usamos expresso para enviar, como DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Também podemos usar o remetente sugerido.
P: e o prazo de entrega?
R: Podemos enviar peças em estoque dentro de 5 dias úteis. Se não houver estoque, confirmaremos o prazo de entrega para você com base na quantidade do pedido.

etiqueta:

Módulos automotivos 400A de IGBT,

Módulo de poder de FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt,

Módulo 1200V do pó de IGBT

Contacto

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Outros Produtos

módulo automotivo FS03MR12A6MA1LBBPSA1 do Mosfet dos módulos 1200V de 400A IGBT sic

módulo automotivo FS03MR12A6MA1LBBPSA1 do Mosfet dos módulos 1200V de 400A IGBT sic

Drene à tensão da fonte (Vdss): 1200V (1.2kV)

Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: 400A

RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificação de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo nivelado F3L400R10W3S7B11BPSA1 dos módulos 3 automotivos IGBT de 950V 400A IGBT

módulo nivelado F3L400R10W3S7B11BPSA1 dos módulos 3 automotivos IGBT de 950V 400A IGBT

Número da parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Trincheira

Estatuto do produto: Atividade

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 950 V

Parada de campo da trincheira do módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Parada de campo da trincheira do módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 950 V

Atual - coletor (CI) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotivos FS05MR12A6MA1BBPSA1 dos módulos de poder 1200V do carboneto de silicone de HEV 200A

Módulos automotivos FS05MR12A6MA1BBPSA1 dos módulos de poder 1200V do carboneto de silicone de HEV 200A

Característica do FET: Carbono de silício (SiC)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 200A

Tipo de montagem: Montura do chassi

Módulos IGBT automotivos FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT meia ponte

Módulos IGBT automotivos FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A Módulo IGBT meia ponte

Número da parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 750 V

Corrente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potência - Máximo: 20 mW

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