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carboneto de silicone automotivo dos módulos 1200V de 2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 IGBT

Name: carboneto de silicone automotivo dos módulos 1200V de 2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: FF6MR12W2M1B11BOMA1
Availability: InStock

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Certificado

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações

Revisões do cliente

Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

—— Luis dos Estados Unidos

Alta qualidade e desempenho confiável: "Os componentes eletrônicos que recebemos da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] são de alta qualidade e demonstraram desempenho confiável em nossos dispositivos".

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carboneto de silicone automotivo dos módulos 1200V de 2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 IGBT

Imagem Grande : carboneto de silicone automotivo dos módulos 1200V de 2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 IGBT

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	NC
Marca:	Original Factory
Certificação:	Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo:	FF6MR12W2M1B11BOMA1

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	10
Preço:	Contact for Sample
Detalhes da embalagem:	Módulo
Tempo de entrega:	5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contato

carboneto de silicone automotivo dos módulos 1200V de 2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 IGBT

Descrição

Número da peça:	FF6MR12W2M1B11BOMA1	Montando o tipo:	Montagem do Chassi
Temperatura de funcionamento (minuto):	-40°C (TJ)	Série:	CoolSiC™+
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs:	5.63mOhm @ 200A, 15V	Poder (máximo):	20mW (Tc)

carboneto de silicone automotivo dos módulos 1200V de 2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 IGBT

Descrição do produto de FF6MR12W2M1B11BOMA1

FF6MR12W2M1B11BOMA1 é módulo (duplo) de 2 MOSFETs do carboneto de silicone do N-canal (sic), disposição do Mosfet 1200V, montagem do chassi.

Especificação de FF6MR12W2M1B11BOMA1

Número da peça	FF6MR12W2M1B11BOMA1
Configuração	N-canal 2 (duplo)
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	5.55V @ 80mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	496nC @ 15V
Poder - máximo	20mW (Tc)
Montando o tipo	Montagem do chassi
Pacote do dispositivo do fornecedor	AG-EASY2BM-2

Características de FF6MR12W2M1B11BOMA1

VDSS = 1200V
Nom da identificação = 200A/IDRM = 400A
Aplicação de comutação de alta frequência
Montagem áspera devido às braçadeiras de montagem integradas

Outros componentes eletrônicos no estoque

Número da peça	Pacote
ATMXT540E-ATR	QFP
BLC8G27LS-160AV	6-DFM
AFT26H200W03SR6	NI1230S4S
MT5580KUFI	BGA
LM285BYMX-2.5	SOP8
TH72011KDC	SOP8

FAQ
Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

etiqueta:

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Drene à tensão da fonte (Vdss): 1200V (1.2kV)

Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: 400A

RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Identificação de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo nivelado F3L400R10W3S7B11BPSA1 dos módulos 3 automotivos IGBT de 950V 400A IGBT

Número da parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Trincheira

Estatuto do produto: Atividade

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 950 V

Parada de campo da trincheira do módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 950 V

Atual - coletor (CI) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: 2.25V @ 15V, 400A

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Característica do FET: Carbono de silício (SiC)

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Tipo de montagem: Montura do chassi

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Número da parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 750 V

Corrente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potência - Máximo: 20 mW

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