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Módulo automotivo do carboneto de silicone dos módulos DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel de IGBT

Name: Módulo automotivo do carboneto de silicone dos módulos DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel de IGBT
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
Availability: InStock

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Certificado

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações

Revisões do cliente

Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

—— Luis dos Estados Unidos

Alta qualidade e desempenho confiável: "Os componentes eletrônicos que recebemos da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] são de alta qualidade e demonstraram desempenho confiável em nossos dispositivos".

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Módulo automotivo do carboneto de silicone dos módulos DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel de IGBT

Imagem Grande : Módulo automotivo do carboneto de silicone dos módulos DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel de IGBT

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	NC
Marca:	Original Factory
Certificação:	Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo:	DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	10
Preço:	Contact for Sample
Detalhes da embalagem:	Módulo
Tempo de entrega:	5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contato

Módulo automotivo do carboneto de silicone dos módulos DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel de IGBT

Descrição

Número da peça:	DF8MR12W1M1HFB67BPSA1	Tecnologia:	Carboneto de silicone (sic)
Drene à tensão da fonte (Vdss):	1200V	Identificação de Vgs (th) (máximo) @:	5.15V @ 20mA
Poder - máximo:	20mW	Pacote/caso:	Módulo

Módulo automotivo do carboneto de silicone dos módulos DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel de IGBT

Descrição do produto de DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 é a disposição 1200V do Mosfet, 45A, montagem do chassi 20mW, módulo de 2 transistor do N-canal.

Especificação de DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Número da peça	DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
Tecnologia	Carboneto de silicone (sic)
Configuração	N-canal 2
Característica do FET	Carboneto de silicone (sic)
Drene à tensão da fonte (Vdss)	1200V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	45A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	16.2mOhm @ 50A, 18V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	5.15V @ 20mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	149nC @ 18V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	4400pF @ 800V
Poder - máximo	20mW
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem do chassi
Pacote/caso	Módulo
Pacote do dispositivo do fornecedor	AG-EASY1B

Foto do pacote de DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Módulo automotivo do carboneto de silicone dos módulos DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel de IGBT 0

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CSD17304Q3	QFN
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TPS54620RGYR	QFN

FAQ
Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

etiqueta:

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Identificação de Vgs (th) (máximo) @: 5.55V @ 240mA

módulo nivelado F3L400R10W3S7B11BPSA1 dos módulos 3 automotivos IGBT de 950V 400A IGBT

Número da parte: F3L400R10W3S7B11BPSA1

Tipo IGBT: Trincheira

Estatuto do produto: Atividade

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 950 V

Parada de campo da trincheira do módulo 950V 310A de F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT

Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): 950 V

Atual - coletor (CI) (máximo): 310 A

Poder - máximo: 20 mW

Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: 2.25V @ 15V, 400A

Módulos automotivos FS05MR12A6MA1BBPSA1 dos módulos de poder 1200V do carboneto de silicone de HEV 200A

Característica do FET: Carbono de silício (SiC)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss): 1200 V (1,2 kV)

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: 200A

Tipo de montagem: Montura do chassi

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Número da parte: FF300R08W2P2B11ABOMA1

Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): 750 V

Corrente - colector (Ic) (máximo): 200 A

Potência - Máximo: 20 mW

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