Transistor dos transistor 8-PowerVDFN do canal da microplaqueta FDMT80060DC N do circuito integrado

Transistor dos transistor 8-PowerVDFN do canal da microplaqueta FDMT80060DC N do circuito integrado

 
Descrição do produto de FDMT80060DC

O MOSFET de FDMT80060DC N−Channel é produzido usando processo avançado do POWERTRENCH dos onsemi. Os avanços no silicone e em tecnologias FRESCAS DUPLAS do pacote forem combinados para oferecer o mais baixo RDS (sobre) quando desempenho de comutação excelente de manutenção extremamente - pela baixa resistência térmica de Junction−to−Ambient.

Especificação de FDMT80060DC

Características dos transistor

• RDS máximo (sobre) = 1,1 m em VGS = 10 V, identificação = 43 A
• RDS máximo (sobre) = 1,3 m em VGS = 8 V, identificação = 37 A
• Combinação avançada do pacote e do silicone para o baixo RDS (sobre) e a eficiência elevada
• Next Generation aumentou a tecnologia do diodo do corpo, projetada para a recuperação macia
• Pacote do perfil baixo 8x8 milímetro MLP
• Projeto de pacote MSL1 robusto

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FAQ
Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.