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Único canal da microplaqueta TO-263-8 N do circuito integrado dos transistor IPBE65R190CFD7A dos FETs

Certificado
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
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Revisões do cliente
Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

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Único canal da microplaqueta TO-263-8 N do circuito integrado dos transistor IPBE65R190CFD7A dos FETs

Único canal da microplaqueta TO-263-8 N do circuito integrado dos transistor IPBE65R190CFD7A dos FETs
Single FETs Transistors IPBE65R190CFD7A Integrated Circuit Chip TO-263-8 N Channel
Único canal da microplaqueta TO-263-8 N do circuito integrado dos transistor IPBE65R190CFD7A dos FETs Único canal da microplaqueta TO-263-8 N do circuito integrado dos transistor IPBE65R190CFD7A dos FETs

Imagem Grande :  Único canal da microplaqueta TO-263-8 N do circuito integrado dos transistor IPBE65R190CFD7A dos FETs

Detalhes do produto:
Lugar de origem: NC
Marca: Original Factory
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: IPBE65R190CFD7A
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: TO-263-8
Tempo de entrega: 5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T/T, L/C, Western Union

Único canal da microplaqueta TO-263-8 N do circuito integrado dos transistor IPBE65R190CFD7A dos FETs

Descrição
Número da peça: IPBE65R190CFD7A Dissipação de poder (máxima): 77W (Tc)
Vgs (máximo): ±20V Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Temperatura de funcionamento: -40°C ~ 150°C (TJ) Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: 1291 PF @ 400 V

Único canal da microplaqueta TO-263-8 N do circuito integrado dos transistor IPBE65R190CFD7A dos FETs

 

Descrição do produto de IPBE65R190CFD7A

IPBE65R190CFD7A é o N-canal 650V, únicos FETs, transistor dos MOSFETs, pacote é TO-263-8, ² Pak de D (7 ligações + abas), TO-263C.

 

Especificação de IPBE65R190CFD7A

Número da peça IPBE65R190CFD7A
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
190mOhm @ 6.4A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
4.5V @ 320µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1291 PF @ 400 V
Dissipação de poder (máxima)
77W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Pacote do dispositivo do fornecedor
PG-TO263-7-11

 

Características de IPBE65R190CFD7A

 
  • A tecnologia 650V qualificada automotivo a mais atrasada
  • Contato da fonte de Kelvin disponível
  • Aperfeiçoado para mais altas tensões da bateria até os agradecimentos 475V para promover o vigor melhorado

 

Outros tipos de produto da fonte

Número da peça Pacote
XA7A50T-2CSG325I 324-CSPBGA
XA7S50-2FGGA484I 484-FBGA
XA7A100T-1CSG324I 324-CSPBGA
XA7A15T-1CSG324Q BGA324
XA7A35T-1CPG236Q 238-CSPBGA
XA7A50T-1CSG325I 324-CSPBGA

 

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

 

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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