Transistor largos do carboneto de silicone HiP247 da microplaqueta SCT040W120G3AG do circuito integrado de SIC Bandgap

Transistor largos do carboneto de silicone HiP247 da microplaqueta SCT040W120G3AG do circuito integrado de SIC Bandgap

Descrição do produto de SCT040W120G3AG

Dispositivo do MOSFET do poder do carboneto de silicone de SCT040W120G3AG. O dispositivo caracteriza um RDS muito baixo (sobre) sobre a variação da temperatura inteira combinada com as baixas capacidades e as operações de comutação muito altas, que melhoram o desempenho da aplicação na frequência, no uso eficaz da energia, no tamanho de sistema e no perca de peso.

Especificação de SCT040W120G3AG

Esboço do pacote de SCT040W120G3AG

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FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.