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Sic microplaqueta H2PAK-7 do circuito integrado dos transistor SCT012H90G3AG 110A SIC dos MOSFETs

Certificado
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
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Revisões do cliente
Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

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Sic microplaqueta H2PAK-7 do circuito integrado dos transistor SCT012H90G3AG 110A SIC dos MOSFETs

Sic microplaqueta H2PAK-7 do circuito integrado dos transistor SCT012H90G3AG 110A SIC dos MOSFETs
SiC MOSFETs Transistors SCT012H90G3AG 110A SIC Integrated Circuit Chip H2PAK-7
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Imagem Grande :  Sic microplaqueta H2PAK-7 do circuito integrado dos transistor SCT012H90G3AG 110A SIC dos MOSFETs

Detalhes do produto:
Lugar de origem: NC
Marca: Original Factory
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: SCT012H90G3AG
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: H2PAK-7
Tempo de entrega: 5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T/T, L/C, Western Union

Sic microplaqueta H2PAK-7 do circuito integrado dos transistor SCT012H90G3AG 110A SIC dos MOSFETs

Descrição
Número da peça: SCT012H90G3AG Energia de comutação da volta-fora (tipo): 889uJ
Tempo de atraso de ligação (tipo): 37ns Tempo de elevação (tipo): 47ns
Tempo de atraso da volta-fora (tipo): 82ns Tempo de queda (tipo): 30ns

Sic microplaqueta H2PAK-7 do circuito integrado dos transistor SCT012H90G3AG 110A SIC dos MOSFETs

 

Descrição do produto de SCT012H90G3AG

SCT012H90G3AG é os transistor do MOSFET do poder do carboneto de silicone da Automotivo-categoria, 900V, tipo 12mOhm., 110A em um pacote H2PAK-7.

 

Especificação de SCT012H90G3AG

Número da peça: SCT012H90G3AG Tensão da Dreno-fonte: 900 V
Drene atual (contínuo) em TC = o °C 25: 110A Dissipação de poder total em TC = °C 25: 625W
Tempo de elevação (tipo): 47ns Tipo da tensão dianteira do diodo (ISD=50A, VGS=0V): 2.8V

 

Características da microplaqueta do circuito integrado de SIC

  • Energia de comutação da volta-fora (tipo): 889uJ
  • Tempo de atraso de ligação (tipo): 37ns
  • Tempo de elevação (tipo): 47ns
  • Tempo de atraso da volta-fora (tipo): 82ns
  • Tempo de queda (tipo): 30ns
  • Tensão dianteira do diodo (ISD = 60 A, VGS = 0 V) tipos: 2.8V

 

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Número da peça Pacote
IRFS4321 TO-263
IRFS5615 TO-263
IRFSL31N20 TO-262
IRFSL4228 TO-262
IRFSL4410 TO-262
IRFSL4615 TO-262

 

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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