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Transistor 750V H2PAK-7 do MOSFET do poder da microplaqueta SCT011H75G3AG do circuito integrado de SIC

Certificado
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
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Revisões do cliente
Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

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Transistor 750V H2PAK-7 do MOSFET do poder da microplaqueta SCT011H75G3AG do circuito integrado de SIC

Transistor 750V H2PAK-7 do MOSFET do poder da microplaqueta SCT011H75G3AG do circuito integrado de SIC
SIC Integrated Circuit Chip SCT011H75G3AG Power MOSFET Transistors 750V H2PAK-7
Transistor 750V H2PAK-7 do MOSFET do poder da microplaqueta SCT011H75G3AG do circuito integrado de SIC Transistor 750V H2PAK-7 do MOSFET do poder da microplaqueta SCT011H75G3AG do circuito integrado de SIC

Imagem Grande :  Transistor 750V H2PAK-7 do MOSFET do poder da microplaqueta SCT011H75G3AG do circuito integrado de SIC

Detalhes do produto:
Lugar de origem: NC
Marca: Original Factory
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: SCT011H75G3AG
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: H2PAK-7
Tempo de entrega: 5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T/T, L/C, Western Union

Transistor 750V H2PAK-7 do MOSFET do poder da microplaqueta SCT011H75G3AG do circuito integrado de SIC

Descrição
Número da peça: SCT011H75G3AG Tensão da Dreno-fonte: 750 V
Drene atual (contínuo) em TC = o °C 25: 110A Dissipação de poder total em TC = °C 25: 652 W
Tipo reverso da capacidade de transferência (VDS=400V, f=1MHz, VGS=0V): 33.6pF Tipo da tensão dianteira do diodo (ISD=50A, VGS=0V): 2.5V

Transistor 750V H2PAK-7 do MOSFET do poder da microplaqueta SCT011H75G3AG do circuito integrado de SIC

 

Descrição do produto de SCT011H75G3AG

SCT011H75G3AG é dispositivo do MOSFET do poder do carboneto de silicone, tipo 11,4 do mOhm. A temperatura de junção de funcionamento soou é -55°C a 175°C, RDS muito baixo (sobre) sobre a variação da temperatura inteira.

 

Especificação de SCT011H75G3AG

Número da peça: SCT011H75G3AG Pacote: ² PAK-7 DE H
Tensão da Porta-fonte: -10V a 22V Resistência térmica, Junção-À-ambiental: 50 °C/W
Tipo do RDS (sobre).: 11,4 MΩ Minuto da tensão de divisão da Dreno-fonte (VGS = 0 V, identificações = 1 miliampère): 750V

 

O ² PAK-7 de H recomendou a pegada (SCT011H75G3AG)

Transistor 750V H2PAK-7 do MOSFET do poder da microplaqueta SCT011H75G3AG do circuito integrado de SIC 0

 

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FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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