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o automóvel 238W lasca os transistor TO-247-3 da parada de campo da trincheira de AFGHL40T65SPD IGBT

Certificado
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
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Revisões do cliente
Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

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o automóvel 238W lasca os transistor TO-247-3 da parada de campo da trincheira de AFGHL40T65SPD IGBT

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o automóvel 238W lasca os transistor TO-247-3 da parada de campo da trincheira de AFGHL40T65SPD IGBT

Imagem Grande :  o automóvel 238W lasca os transistor TO-247-3 da parada de campo da trincheira de AFGHL40T65SPD IGBT

Detalhes do produto:
Lugar de origem: NC
Marca: Original Factory
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: AFGHL40T65SPD
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: TO-247-3
Tempo de entrega: 5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento: T/T, L/C, Western Union

o automóvel 238W lasca os transistor TO-247-3 da parada de campo da trincheira de AFGHL40T65SPD IGBT

Descrição
Número da peça: AFGHL40T65SPD Junction−to−case da resistência térmica, para o diodo: 1.71°C/W
Corrente de coletor @ TC = 100°C: 40A Atual - coletor (CI) (máximo): 80A
Tempo de recuperação reversa (trr): 28 ns Corrente dianteira do diodo @ TC < 100°C: 20A

o automóvel 238W lasca os transistor TO-247-3 da parada de campo da trincheira de AFGHL40T65SPD IGBT

 

Descrição do produto de AFGHL40T65SPD

Transistor da parada de campo da trincheira de AFGHL40T65SPD IGBT - os únicos IGBTs transistor de 238W, pacote são TO-247-3, tensão transiente de Gate−To−Emitter são ±30V.

 

Especificação de AFGHL40T65SPD

Número da peça: AFGHL40T65SPD Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: 2.1V @ 15V, 40A
Resistência térmica Junction−To−Ambient: 40°C/W Carga da porta: 68 NC
Resistência térmica Junction−To−Case, para IGBT: 0.63°C/W Energia de comutação: 250µJ (sobre), 90µJ (fora)

 

Características de microplaquetas do automóvel

  • Baixa tensão de saturação: VCE (Sat) = 1,6 V (tipo.) @ IC = 40 A
  • 100% das peças são testadas para ILM
  • Junction−to−case da resistência térmica, para IGBT: 0.63°C/W
  • Junction−to−case da resistência térmica, para o diodo: 1.71°C/W
  • Resistência térmica junction−to−ambient: 40°C/W

 

Outros tipos de produto da fonte

Número da peça Pacote
PKC4132PI DC-DC
PKC4135PI DC-DC
PKE4210PI DC-DC
PKE4211PI DC-DC
PKE4231PI DC-DC
PKE4235PI DC-DC

 

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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