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Microplaqueta 60V do circuito integrado do transistor TO-252-3 do MOSFET do poder do canal IPD06P004N de P

Name: Microplaqueta 60V do circuito integrado do transistor TO-252-3 do MOSFET do poder do canal IPD06P004N de P
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IPD06P004N
Availability: InStock

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Certificado

China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações

Revisões do cliente

Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

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Microplaqueta 60V do circuito integrado do transistor TO-252-3 do MOSFET do poder do canal IPD06P004N de P

Imagem Grande : Microplaqueta 60V do circuito integrado do transistor TO-252-3 do MOSFET do poder do canal IPD06P004N de P

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	NC
Marca:	Original Factory
Certificação:	Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo:	IPD06P004N

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	10
Preço:	Contact for Sample
Detalhes da embalagem:	PG-TO252-3
Tempo de entrega:	5-8 dias do trabalho
Termos de pagamento:	T/T, L/C, Western Union

Contato

Microplaqueta 60V do circuito integrado do transistor TO-252-3 do MOSFET do poder do canal IPD06P004N de P

Descrição

Part Number:	IPD06P004N	Drain to Source Voltage (Vdss):	60 V
Power Dissipation (Max):	63W (Tc)	Drive Voltage:	10V
Operating Temperature(Min):	-55°C (TJ)	Operating Temperature(Max):	175°C (TJ)
Destacar:	IPD06P004N , IPD06P004N Integrated Circuit Chip , P Channel Power MOSFET Transistor

Microplaqueta 60V do circuito integrado do transistor TO-252-3 do MOSFET do poder do canal IPD06P004N de P

Descrição do produto de IPD06P004N

IPD06P004N é transistor de poder de 60V OptiMOS - o transistor do MOSFET do P-canal, o pacote é PG-TO252-3 (montagem de superfície).

Especificação de IPD06P004N

Número da peça	IPD06P004N
Tipo do FET	P-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)	60 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	16.4A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)	10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	90mOhm @ 16.4A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 710µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	1100 PF @ 30 V
Dissipação de poder (máxima)	63W (Tc)
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor	PG-TO252-3
Pacote/caso	TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63

Características da microplaqueta do circuito integrado

P-canal
Verylowon-resistanceRDS (sobre)
100%avalanchetested
NormalLevel
Enhancementmode
Pb-freeleadplating; RoHScompliant

Diagrama de bloco de IPD06P004N

Microplaqueta 60V do circuito integrado do transistor TO-252-3 do MOSFET do poder do canal IPD06P004N de P 0

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: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

etiqueta:

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Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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