Detalhes do produto:
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Part Number: | IMW120R030M1H | Series: | CoolSiC™ |
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FET Type: | N-Channel | Drain to Source Voltage (Vdss): | 1200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: | 56A (Tc) | Power Dissipation (Max): | 227W (Tc) |
Destacar: | IMW120R030M1H,Transistores de canal N IMW120R030M1H,MOSFET de trincheira SiC de 1200 V |
MOSFET da trincheira dos transistor IMW120R030M1H CoolSiC 1200V do N-canal sic no pacote TO247-3
Descrição do produto de IMW120R030M1H
O IMW120R030M1H CoolSiC™ 1200 V, MOSFET de 30 mΩ sic na construção do pacote TO247-3 em um processo avançado do semicondutor da trincheira aperfeiçoado para combinar o desempenho com a confiança. Em comparação com interruptores baseados tradicionais do silicone (si) como IGBTs e MOSFETs, sic o MOSFET oferece uma série de vantagens.
IMW120R030M1H que estes incluem, a mais baixa carga da porta e os interruptores V vistos níveis da capacidade do dispositivo em 1200, nenhumas perdas reversas da recuperação do diodo interno do corpo da prova da comutação, perdas de comutação independentes da temperatura baixas, e característica ponto-livre do em-estado. Os MOSFETs de CoolSiC™ são ideais para topologias duras e do ressonante-interruptor como circuitos da correção de fator de poder (PFC), topologias bidirecionais e conversores de DC-DC ou inversores de DC-AC.
Especificação de IMW120R030M1H
Número da peça | IMW120R030M1H |
Categoria de produto: | MOSFET |
RoHS: | Detalhes |
Sic | |
Através do furo | |
1 canal | |
1,2 quilovolts | |
56 A | |
40 mOhms | |
- 7 V, + 23 V | |
5,7 V | |
63 nC | |
- 55 C | |
+ 150 C |
Características de IMW120R030M1H
Aplicações de IMW120R030M1H
Diagramas de IMW120R030M1H
FAQ
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