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AIMBG120R160M1 chip de circuito integrado 1200 V SiC Mosfet discretos para automotivo

Certificado
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
China ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificações
Revisões do cliente
Foi enviado muito rapidamente, e muito útil, novo e original, recomendaria altamente.

—— Nishikawa do Japão

Serviço profissional e rápido, preços aceitáveis para bens. uma comunicação excelente, produto como esperado. Eu recomendo altamente este fornecedor.

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AIMBG120R160M1 chip de circuito integrado 1200 V SiC Mosfet discretos para automotivo

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AIMBG120R160M1 Integrated Circuit Chip 1200V SiC Mosfet Discretes For Automotive
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Imagem Grande :  AIMBG120R160M1 chip de circuito integrado 1200 V SiC Mosfet discretos para automotivo

Detalhes do produto:
Lugar de origem: CN
Marca: Original Factory
Certificação: Lead free / RoHS Compliant
Número do modelo: AIMBG120R160M1
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10
Preço: Contact for Sample
Detalhes da embalagem: TO-263-7
Tempo de entrega: 5-8 dias úteis
Termos de pagamento: T/T, L/C, Western Union

AIMBG120R160M1 chip de circuito integrado 1200 V SiC Mosfet discretos para automotivo

Descrição
Número da peça: AIMBG120R160M1 Tipo de Produto: MOSFET
Pacote: TO-263-7 Temperatura de operação: -55°C - 175°C
polaridade: n RthJC max: 160 mΩ
Destacar:

Chip de circuito integrado AIMBG120R160M1

,

chip de circuito integrado SiC Mosfet

,

1200V SiC Mosfet

Chip de circuito integrado AIMBG120R160M1 1200V SiC Mosfet discretos para automotivo

 

Descrição do AIMBG120R160M1
O AIMBG120R160M1 é 1200V SiC Mosfet para Automotivo foi desenvolvido para aplicações atuais e futuras de Carregador On-Board e DC-DC em veículos híbridos e elétricos.
O invólucro SMD compacto D²PAK (PG-TO263-7) permite um alto grau de automação na instalação de fabricação do cliente e reduz ainda mais o custo no nível do sistema.


Especificação deAIMBG120R160M1

Ciss

258 pF

Coss

14 pF

EUD(@25°C)máximo

15A

Temperatura de operaçãomin máximo

-55°C 175°C

Ppequeno(@TUMA=25°C)máximo

82 W

Pacote

TO-263-7

Polaridade

N

QG

9,3 nC

Qualificação

Automotivo

RDS (ligado)(@ Tj = 25°C)

160 mΩ

RthJC máximo

1,82 K/W

VDS

1200 V

VGSS, desligado

0

VGSS, em

20

 

Características do AIMBG120R160M1
Material semicondutor revolucionário - Carboneto de Silício
Perdas de comutação muito baixas
Sem limite na característica de estado
Tensão de portão de desligamento de 0V
Tensão limite do portão de referência, VGS(th)=4,5V
dv/dt totalmente controlável
Diodo de corpo robusto de comutação, pronto para retificação síncrona
Perdas de comutação independentes de temperatura
Pino de detecção para desempenho de comutação otimizado
Adequado para requisitos de fuga HV
Tecnologia de interconexão XT para o melhor desempenho térmico da categoria

 

Benefícios do AIMBG120R160M1
Melhoria da eficiência
Ativando frequência mais alta
Maior densidade de potência
Redução do esforço de resfriamento
Redução da complexidade e custo do sistema

 

Aplicações potenciais de AIMBG120R160M1
Carregador de bordo
Conversor CC-CC

 

Perguntas frequentes
P. Seus produtos são originais?
R: Sim, todos os produtos são originais, a nova importação original é o nosso propósito.
P: quais certificados você tem?
R: Somos uma empresa certificada ISO 9001:2015 e membros da ERAI.
P: você pode oferecer suporte a pedidos ou amostras em pequenas quantidades? A amostra é grátis?
R: sim, aceitamos pedidos de amostra e pedidos pequenos. o custo da amostra é diferente de acordo com seu pedido ou projeto.
P: como enviar meu pedido?É seguro?
R: Usamos expresso para enviar, como DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Também podemos usar o remetente sugerido.
P: e o prazo de entrega?
R: podemos enviar peças em estoque dentro de 5 dias úteis. se não houver estoque, confirmaremos o prazo de entrega para você com base na quantidade do pedido.

Contacto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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