LMG3425R030RQZR Gan Fet Gate Driver VQFN54 integrou a meia ponte Gan Driver

FET dos motoristas LMG3425R030RQZR GaN da porta com motorista integrado e modo ideal VQFN54 do diodo

Descrição

O FET de LMG342xR030 GaN com motorista integrado e proteção permite desenhistas de conseguir níveis novos de densidade e de eficiência de poder em sistemas da eletrônica de poder. O LMG342xR030 integra um motorista do silicone que permita a comutação acelere a 150 V/ns. Resultados integrados da polarização da porta da precisão do TI no interruptor mais alto SOA comparado aos motoristas discretos da porta de silicone. Esta integração, combinada com o pacote da baixo-indutância do TI, entrega o interruptor limpo e a soada mínima em topologias da fonte de alimentação do duro-interruptor. A força ajustável da movimentação da porta permite o controle da taxa de pântano de 20 V/ns a 150 V/ns, que podem ser usados para controlar o IEM e aperfeiçoar ativamente o desempenho do interruptor. O LMG3425R030 inclui o modo ideal do diodo, que reduz perdas do terceiro-quadrante permitindo o controle adaptável do inoperante-tempo.

Especificações

Aplicações

• Fontes de alimentação industriais do alto densidade
• Inversores solares e movimentações industriais do motor
• Fontes de alimentação Uninterruptable
• Fonte de alimentação mercante da rede e do servidor
• Retificadores mercantes das telecomunicações

Características

proteção de circuito com < 100-ns="" response="">

–

Suportar o duro-interruptor do quando do impulso 720-V

–

Autoproteção da temperatura excessiva interna

e monitoração de UVLO

•

Gestão avançada do poder

–

Saída da temperatura PWM de Digitas

–

O modo ideal do diodo reduz perdas do terceiro-quadrante

em

LMG3425R030

• Qualificado para JEDEC JEP180 para topologias do duro-interruptor
• FET do GaN-em-si 600-V com o motorista integrado da porta
• Tensão de polarização integrada da porta da elevada precisão
• 200-V/ns CMTI
• frequência 2.2-MHz de comutação
• 30-V/ns a 150-V/ns massacrou a taxa para a otimização de comutar o desempenho e a mitigação do IEM
• Opera-se de 7.5-V à fonte 18-V
• Proteção robusta
• sobrecarga do Ciclo-por-ciclo e proteção travada do shortcircuit com < 100-ns="" response="">
• Suportar o duro-interruptor do quando do impulso 720-V
• Autoproteção da temperatura excessiva interna e da monitoração de UVLO
• Gestão avançada do poder
• Saída da temperatura PWM de Digitas
• O modo ideal do diodo reduz perdas do terceiro-quadrante em LMG3425R030

 

Medida para determinar atrasos de propagação e taxas de pântano

 

 

 

Qualificado para JEDEC JEP180 para o duro-interruptor

topologias

•

600

- FET do GaN-em-si de V com o motorista integrado da porta

–

Tensão de polarização integrada da porta da elevada precisão

–

200-V/ns CMTI

–

2,2

- Frequência de comutação do megahertz

–

30-V/ns a 150-V/ns massacrou a taxa para a otimização

do desempenho de comutação e da mitigação do IEM

–

Opera-se de 7.5-V à fonte 18-V

•

Proteção robusta

–

sobrecarga do Ciclo-por-ciclo e curto travado

proteção de circuito com < 100-ns="" response="">

–

Suportar o duro-interruptor do quando do impulso 720-V

–

Autoproteção da temperatura excessiva interna

e monitoração de UVLO

•

Gestão avançada do poder

–

Saída da temperatura PWM de Digitas

–

O modo ideal do diodo reduz perdas do terceiro-quadrante

em

LMG3425R030

Qualificado para JEDEC JEP180 para o duro-interruptor

topologias

•

600

- FET do GaN-em-si de V com o motorista integrado da porta

–

Tensão de polarização integrada da porta da elevada precisão

–

200-V/ns CMTI

–

2,2

- Frequência de comutação do megahertz

–

30-V/ns a 150-V/ns massacrou a taxa para a otimização

do desempenho de comutação e da mitigação do IEM

–

Opera-se de 7.5-V à fonte 18-V

•

Proteção robusta

–

sobrecarga do Ciclo-por-ciclo e curto travado

proteção de circuito com < 100-ns="" response="">

–

Suportar o duro-interruptor do quando do impulso 720-V

–

Autoproteção da temperatura excessiva interna

e monitoração de UVLO

•

Gestão avançada do poder

–

Saída da temperatura PWM de Digitas

–

O modo ideal do diodo reduz perdas do terceiro-quadrante

em

LMG3425R030

 

FAQ
Q. São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

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VQFN54 integrou a meia ponte Gan Driver,

FET de LMG3422R030RQZR GaN,

Gan Fet Gate Driver VQFN54

Contacto

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Pessoa de Contato: Sales Manager

Telefone: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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Outros Produtos

Meio uso geral de GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 do motorista da ponte

Categoria: Motoristas completos da Metade-ponte de PMIC

Série: CoolGaN™

Aplicações: Uso geral

RDS sobre: 140mOhm LS 140mOhm HS

O motorista LMG3411R070RWHR Gan Power Ic Power Distribution do FET comuta o canal 32VQFN de P

Relação - Input:Output: 1:1

Interface: Lógica, PWM

Voltagem - Fornecimento (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

Atual - saída (máxima): 12A

Motorista P Channel GaN Driver Integrated do interruptor de alimentação de LMG3410R070RWHR GaN IC

Configuração de saída: Lado alto

Tipo de saída: P-canal

Voltagem - Carga: 480V (máximo)

Voltagem - Fornecimento (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

O FET 600V de LMG3422R030RQZR GaN integrado isolou GaN Gate Drivers

Corrente de saída: 1,2 A

Voltagem de alimentação - Min: 7.5 V

Voltagem de alimentação - Max: 18 V

Tempo de elevação: 4 ns

Canal de IC N do interruptor da distribuição de poder de LMG3411R150RWHR Gan Driver IC 6A VQFN32

Tensão - Carga: 480V (máximo)

Tensão - fonte (Vcc/Vdd): 9.5V ~ 18V

Atual - saída (máxima): 6A

RDS em (tipo): 150mOhm